Traditional DUXERIT campum illustrandi et ostentationis verti fecit ob praestantiam suam observantiam secundum efficientiam, stabilitatem et fabricam quantitatis.LEDae typice sunt acervi membranae semiconductoris tenuium cum dimensionibus lateralibus millimetris, multo minores quam machinis traditis ut bulbi candentis et fistulae cathodae.Attamen applicationes optoelectronicae emergentes, ut realitas virtualis et aucta, LEDs in microns vel minus requirunt.Spes est quod Micro-scale seu submicron ductus (μleds) plures habere pergit ex superioribus qualitatibus, quae iam traditi sunt, ut emissio valde stabilis, efficacia et splendor alta, emissio potentiae ultra-humilis et emissio plena coloris; dum decies fere centies minor in spatio permittit ut densiores ostendat.Tales assulae ductae etiam viam in circuitibus photonicis potentioribus viam sternere poterant, si in Sii dissecare possunt, et cum oxydorum metallorum semiconductore (CMOS) electronicis complementariis integrantur.
Nihilominus, tales µleds fallaces manserunt, praesertim in viridi ad rubram emissionem necem eminus.Accessus traditionalis ductus µ-ductus est processus top-down, in quo membranae InGaN quantum putei (QW) in machinas parvas per etching processum adnectunt.Dum tenuis pellicula InGaN QW-fundatur tio2 µleds multum attentionem attraxit ob multas excellentium proprietatum InGaN, ut tabellarius efficiens onerariam et necem tunability per aspectabile spatium usque nunc vexati sunt ab exitibus sicut murus lateralis. corrosio damnum quod gravescit sicut fabrica magnitudo extenuetur.Praeterea, propter existentiam agrorum polarisationum, instabilitatem coloris/coloris habent aequalitatem.Ad hanc quaestionem, solutiones cavitatis crystallis non-polaris et semi-polaris InGaN et photonici propositae, sed nunc non satisfaciunt.
In charta nova in luce Scientiae et Applications edita, investigatores a Zetian Mi, professore in universitate Michigan, Annabel evulgati, scalam submicronam viridem DUXERIT III elaboraverunt, quae haec impedimenta semel et pro omnibus superat.Hi µleds plasmatis regionalis plasmatis hypothecae trabes epitaxiae synthesatae erant.In summa contra accedente tradito summo-down, hic µled in numero nanowirarum consistit, singula tantum 100 ad 200 um diametro, a decem nanometris separata.Hoc solum-sursum aditus essentialiter damnum muri lateralis corrosionem vitat.
Pars levis machinae emittens, quae etiam regione activa nota est, componitur ex nucleo multiplicis quantitatis (MQW) structurae morphologiae nanowire notae.Praesertim MQW ex InGaN bene et obice AlgaN constat.Ob differentias migrationis atomi Group III elementorum Latium, gallium et aluminium in parietibus laterum adsornatis, invenimus Latium abesse in parietibus nanowirarum laterum, ubi testa GaN/AlGaN nucleum MQW quasi burrito involvit.Inquisitores invenerunt Al contentum huius GaN/AlGaN sensim ab injectione electronicorum latere nanowirarum usque ad partem foraminis decrevisse.Ob differentiam in campis polarizationis internae GaN et AlN, talis volubilis clivus contentorum AlGaN in strato AlGaN liberum electrons inducit, quae facile in nucleum MQW influunt et colorem instabilitatem leniunt reducendo campum polarizationem.
Re quidem vera investigatores invenerunt machinas minus quam unam micron in diametro, apicem necem electroluminitatis, vel emissionis lucis inductae, constantem esse in ordine magnitudinis mutationis in injectione currentis.Praeter turmas Professor Mi methodum iam antea evolvit modum crescendi summus qualitas GaN coatings in siliconibus ut nanowire ductus in siliconibus crescat.Ita, µled in subiecto Si subiecta paratae ad integrationem cum aliis CMOS electronicis sedet.
Hoc μled facile multas applicationes potentiales habet.In fabrica suggestu robustior fiet sicut emissio necem RGB ostentationis integralis in chip ad rubeum dilatatur.
Post tempus: Jan-10-2023